EUV優點

ASML新一代的High-NA EUV曝光機EXE:5000，NA（數值孔徑）從0.33增大為0.55，有幾項優點，一，具備更高解析度，成像更清晰；二，每小時可列印超過185 個晶圓，大幅提高 ...

因為原先使用的傳統DUV技術波長較長，無法提供更高的解析度，然而使用EUV微技術，因為波長較短，能夠提供更高的解析度，使得能夠在晶圓上刻劃出更小、更精細的電路圖案，這對於7奈米、5奈米甚至3奈米以下的製程相當關鍵。

2024年4月3日 — ASML的EUV光刻系統發出約13.5奈米的波長光，這比上一代DUV光刻使用的波長短得多，從而能夠在半導體晶片上印刷更細微的圖案。最先進的微晶片可以有7、5和3奈 ...

我們也正在發展具備更高數值孔徑(0.55) 的下一代High-NA EUV平台，擁有新穎的光學設計和速度更快的載台，可使幾何式晶片微縮(Geometric Chip Scaling) 大幅躍進，其所提供的 ...

2023年3月10日 — 極紫外光（Extreme ultraviolet, EUV）是波長小於13.5 奈米的光，使用EUV 作為光源的曝光機，即為EUV 曝光機。由於造價昂貴、製程繁複、貨源稀少，關鍵技術由 ...

2024年5月19日 — 楊瑞臨表示，台積電應明確知道High-NA EUV設備帶來的好處，不過，在成本居高不下的情況下，透過其他方式，以滿足客戶的綜合需求。 據ASML指出，High-NA EUV ...

2023年8月13日 — ·EUV的好處 EUV有很多好處，如前面提到的能夠替代DUV的多重曝 光製程，讓需要做很多次重複曝光的製程大幅簡化成做 一次就好。從多重曝光簡化成一次的好處 ...

ASML的核心產品是DUV和EUV。DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithography），兩者雖然在中文裡只差一個字，但性能卻相差 ...

製造晶片時TRUMPF高功率雷射放大器發揮關鍵作用：因為藉助它可生成發光等離子體，從而提供極紫外光(EUV) 曝光晶圓。TRUMPF與全球最大的光刻系統製造商ASML以及光學元件製造商 ...

EUV光刻是未來微晶片製造方法中的翹楚。多年來，半導體產業一直在尋找符合成本效益並且能批量處理的方法，以便藉此曝光矽晶圓上的更小結構。ASML、Zeiss與TRUMPF合作開發 ...